RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.5
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
5.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
1981
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link