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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
65
Rund um -171% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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