RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
33
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3136
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link