RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3136
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link