RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
71
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1344
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905428-105.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link