RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
71
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
5.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
71
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
5.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1344
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link