RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
70
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1865
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1869DT1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link