RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
24
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
18.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3834
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link