RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2065
3491
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link