RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
3491
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link