RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
92
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
55
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2701
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link