RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
92
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
55
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2701
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link