RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
55
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
55
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2701
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link