RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
985
3124
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link