RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
77
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2356
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link