RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
10600
8500
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
33
46
Prędkość odczytu, GB/s
9.6
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
10600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
2400
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link