Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    33 left arrow 46
    Wokół strony 28% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12 left arrow 9.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.1 left arrow 8.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    10600 left arrow 8500
    Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    33 left arrow 46
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.6 left arrow 12.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 9.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2065 left arrow 2400
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania