Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB против SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 46

Около 28% меньшая задержка

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12 9.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.1 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

10600 8500

Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

33 46
Скорость чтения, Гб/сек

9.6 12.0
Скорость записи, Гб/сек

8.4 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 10600

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2065 2400

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Kingston 9905713-001.A00G 4GB

Kingston 9905713-001.A00G 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

модули RAM