Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Gesamtnote
star star star star star
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Unterschiede

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 46
    Rund um 28% geringere Latenzzeit
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12 left arrow 9.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.1 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 8500
    Rund um 1.25 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    33 left arrow 46
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 12.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 9.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2065 left arrow 2400
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche