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Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
46
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
8500
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
33
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
10600
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2065
2400
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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