Confronto tra le RAM Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

33 46

Intorno 28% latenza inferiore

Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

12 9.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.1 8.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

10600 8500

Intorno 1.25 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2065 2400

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns