Comparación de la memoria RAM Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Puntuación global

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

33 46

En 28% menor latencia

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

12 9.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.1 8.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

10600 8500

En 1.25 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2065 2400

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns