Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Puntuación global
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Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    33 left arrow 46
    En 28% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12 left arrow 9.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
    En 1.25 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    33 left arrow 46
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.6 left arrow 12.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2065 left arrow 2400
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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