RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 33
    周辺 -22% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    9.6 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 15.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2065 left arrow 3491

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
メモリRAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
メモリRAM