RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB

総合得点
star star star star star
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 36
    周辺 8% 低遅延
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 8500
    周辺 3.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    9.6 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2065 left arrow 2353

Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
メモリRAM