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Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
比较
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
总分
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
总分
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
36
读取速度,GB/s
9.6
16.0
写入速度,GB/s
8.4
12.7
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
2353
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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