Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

総合得点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 54

周辺 54% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

12.1 11.6

テスト平均値

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

15.7 13.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 19200

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR5 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

25 54
読み出し速度、GB/s

13.4 15.7
書き込み速度、GB/秒

12.1 11.6
メモリ帯域幅、mbps

19200 25600

Other

商品説明

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度

no data / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3419 2511

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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