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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
比較する
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
総合得点
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
総合得点
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
54
周辺 54% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
11.6
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.7
13.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR5
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
54
読み出し速度、GB/s
13.4
15.7
書き込み速度、GB/秒
12.1
11.6
メモリ帯域幅、mbps
19200
25600
Other
商品説明
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2511
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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