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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Comparez
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Note globale
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Note globale
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
54
Autour de 54% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
54
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.1
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3419
2511
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaison des RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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