RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
54
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3419
2511
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link