RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
54
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3419
2511
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link