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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

总分
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

总分
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 54
    左右 54% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.1 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.7 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 19200
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 54
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    12.1 left arrow 11.6
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    no data / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3419 left arrow 2511

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较

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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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