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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
54
读取速度,GB/s
16.9
15.7
写入速度,GB/s
12.0
11.6
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2511
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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