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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
73
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
73
读取速度,GB/s
12.8
14.1
写入速度,GB/s
7.4
7.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
1609
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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