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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.2
18.2
写入速度,GB/s
8.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3389
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
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