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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
比较
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
总分
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
总分
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
25.3
7.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
21.4
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
7.3
25.3
写入速度,GB/s
6.6
21.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1760
4252
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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