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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

总分
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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

差异 规格 评论

差异

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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    15.9 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 6.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 66
  • 读取速度，GB/s
    7.3 left arrow 15.9
  • 写入速度，GB/s
    6.6 left arrow 7.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1760 left arrow 1877

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB RAM的比较

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SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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