RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
66
Prędkość odczytu, GB/s
7.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1760
1877
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link