RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
7.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
66
Velocidade de leitura, GB/s
7.3
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1760
1877
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link