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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
81
92
左右 -14% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.5
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
81
读取速度,GB/s
2,105.4
12.7
写入速度,GB/s
1,266.1
6.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
1460
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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