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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
81
92
Autour de -14% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.5
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
81
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1460
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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