RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

24 30

Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16 11.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.5 6.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 17000

Rund um 1.13% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2925 1254

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns