RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1254
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link