RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3061
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link