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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3061
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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