RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2860
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link