RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
26
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2987
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link