RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2987
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link