RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
12.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2846
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Transcend Information JM1600KLH-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link