RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2846
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link