RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
24
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
18.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link