RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3625
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link