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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
38
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2882
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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