RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2882
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link