RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
50
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2549
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link