RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link